[发明专利]高纯度切割硅粉(干法)回收有效
申请号: | 200910189194.3 | 申请日: | 2009-12-25 |
公开(公告)号: | CN102107156A | 公开(公告)日: | 2011-06-29 |
发明(设计)人: | 朱福如 | 申请(专利权)人: | 朱福如 |
主分类号: | B03C1/30 | 分类号: | B03C1/30;B03C3/017 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 214073 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 半导体器件(包括集成电路、太阳电池)大都采用硅锭(棒)切割成片材加工而成,切割的硅粉回收要求清除混入的各种异物杂质,尤其是有害的铁杂质。以往采用酸洗、浮选的办法,将异物杂质进行化学反应,利用物质的表面张力、附着力差异,有选择的将硅粉分选。它们都是在液体介质中进行,势必引入新的杂质和对环境的污染,工艺周期长,能源消耗大,回收成本高。本发明采用具有特定性能的气流(紊流、湍流),将切割硅粉、杂质异物分离成单体微粒在二维平面、三维立体空间悬浮,将悬浮微粒在静电场、静磁场、电磁场和离心力场中分选,减少环境污染、节约能源,提高效率,降低成本。 | ||
搜索关键词: | 纯度 切割 回收 | ||
【主权项】:
一种高纯硅锭切割硅粉的回收方法,由气体将原材料微粒悬浮,将携带悬浮固体微粒的气流通过磁场、交变电磁场、高压静电场和离心力场,用磁场清除铁磁体杂质、交变电磁场清除金属导体杂质、静电场清除绝缘体杂质、气流离心分选的干式物理方法,其特征在于:(1).含有杂质的硅粉在高速气流作用下,在三维空间成单体微粒悬浮,由气体携带进行分选;(2).含有铁磁性杂质的硅粉气流经过磁场时,铁磁体微粒杂质被磁极吸住固定,从硅粉气流中清除;(3).含有金属导体杂质的硅粉气流经过交变电磁场时,金属导体在感应线圈中加热,温度升高,经过低融点胶体管道挡板时,被胶体挡板、管壁粘住固定,从硅粉气流中清除;(4).含有绝缘体杂质的硅粉气流经过高压静电场时,绝缘体微粒在电场中极化成偶极子,被电极吸附固定,从硅粉气流中清除;(5).含有硅粉的气流经过离心力场时,在湍流作用下,硅粉微粒依阻力/质量比不同在容器壁按高度分布聚集,可依上而下回收硅粉。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朱福如,未经朱福如许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910189194.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。