[发明专利]薄膜晶体管阵列面板的制造方法无效
| 申请号： | 200910164010.8 | 申请日： | 2004-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN101655643A | 公开（公告）日： | 2010-02-24 |
| 发明（设计）人： | 朴云用;李元熙;金一坤;林承泽;宋俞莉;田尚益 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G03F1/14;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余 刚;吴孟秋 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法。该方法包括：在绝缘基板上形成栅极线；形成栅极绝缘层；形成半导体；形成包括数据线及漏极的数据导电层；形成钝化层，该钝化层具有露出漏极的一部分及邻接在漏极边界线的栅极绝缘层的上表面的一部分的接触孔；以及形成通过接触孔与漏极连接的像素电极，其中，像素电极通过钝化层中的接触孔与漏极的上表面以及邻接在漏极边界线的栅极绝缘层的上表面的一部分相接触。根据本发明，防止在接触部露出布线边界时，布线下部发生下切，可以缓慢确保接触部的侧面。通过它可以防止在接触部发生断线，可以稳定安装驱动集成电路，因此，可以确保接触部的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 面板 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法，所述方法包括：在绝缘基板上形成栅极线；形成栅极绝缘层；形成半导体；形成包括数据线及漏极的数据导电层；形成钝化层，所述钝化层具有露出所述漏极的一部分及邻接在所述漏极边界线的所述栅极绝缘层的上表面的一部分的接触孔；以及形成通过所述接触孔与所述漏极连接的像素电极，其中，所述像素电极通过所述钝化层中的接触孔与所述漏极的上表面以及邻接在所述漏极边界线的所述栅极绝缘层的上表面的一部分相接触。
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