[发明专利]光感测器及相应的薄膜晶体管基板的制造方法无效
申请号: | 200910149063.2 | 申请日: | 2009-06-15 |
公开(公告)号: | CN101924161A | 公开(公告)日: | 2010-12-22 |
发明(设计)人: | 许宗义;徐文斌;赵之尧;王彦翔 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/82;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种光感测器的制造方法,其包含:提供一衬底;在衬底上沉积一第一导电层;对第一导电层进行一第一微影制程从而形成一图案化的第一导电层;在图案化的第一导电层上形成一富硅绝缘层;沉积一绝缘保护层;对绝缘保护层进行一第二微影制程以暴露出部分的富硅绝缘层;沉积一第二导电层;以及对第二导电层进行一第三微影制程从而形成一图案化的第二导电层。其中,在进行第二微影制程时暴露出富硅绝缘层的一边缘以避免在进行第三微影制程时图案化的第二导电层出现断线。 | ||
搜索关键词: | 光感测器 相应 薄膜晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种光感测器的制造方法,其特征在于其包含:提供一衬底;在该衬底上沉积一第一导电层;对该第一导电层进行一第一微影制程从而形成一图案化的第一导电层;在该图案化的第一导电层上形成一富硅(Si rich)绝缘层;沉积一绝缘保护层;对该绝缘保护层进行一第二微影制程以暴露出部分的该富硅绝缘层;沉积一第二导电层;以及对该第二导电层进行一第三微影制程从而形成一图案化的第二导电层;其中,在进行该第二微影制程时暴露出该富硅绝缘层的一边缘以避免在进行该第三微影制程时该图案化的第二导电层出现断线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的