[发明专利]光电转换装置及其制造方法

摘要

本发明的名称为光电转换装置及其制造方法，提供以简便的工序制造具有优越的光电转换特性的节省资源型光电转换装置的方法。通过将单晶半导体衬底，典型的是单晶硅衬底薄片化，并使用该薄片化单晶半导体衬底的薄片单晶半导体层构成光电转换装置。通过利用照射使用电压进行加速的氢离子的方法或照射产生多光子吸收的激光束的方法而进行单晶半导体衬底的薄片化。在薄片化单晶半导体衬底上层叠具有非单晶半导体层的单元元件而制造所谓串联型光电转换装置。

主权项

1. 一种光电转换装置的制造方法，包括如下工序：在单晶半导体衬底中形成脆弱层；在所述单晶半导体衬底的一个表面一侧上形成第一杂质半导体层；以所述脆弱层为界线从所述单晶半导体衬底分离形成有所述第一杂质半导体层的单晶半导体层；在所述单晶半导体层的脆弱面一侧上形成第二杂质半导体层；形成相邻于所述第二杂质半导体层的第三杂质半导体层，其中所述第二杂质半导体层位于所述第三杂质半导体层和所述单晶半导体层之间；形成相邻于所述第三杂质半导体层的非单晶半导体层；形成相邻于所述非单晶半导体层的第四杂质半导体层；形成相邻于所述第四杂质半导体层的第一电极；以及形成相邻于所述第一杂质半导体层的第二电极。