[发明专利]一种氢氧化镍-二氧化钛基光致储能方法及其装置无效

专利信息
申请号: 200910095412.7 申请日: 2009-01-12
公开(公告)号: CN101465216A 公开(公告)日: 2009-06-24
发明(设计)人: 王建明;练慧勤;邵海波;王慧娟;张鉴清;曹楚南 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: H01G9/20 分类号: H01G9/20;H01G9/042;H01M14/00
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 代理人: 林怀禹
地址: 310027浙*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种氢氧化镍-二氧化钛基光致储能方法及其装置。在碱性溶液中,放置有在ITO基底的导电面上依次制备有TiO2多孔膜,再在TiO2多孔膜上沉积Ni(OH)2膜的双膜工作电极,在双膜电极的一侧放置有Pt对电极构成,两个电极用导线连接。在紫外光hv辐射下,利用两个电极的电位差,推动电子从外电路转移到Pt对电极,与氧化性的物质反应而消耗掉,可以减少了电子和空穴的复合,提高空穴将Ni(II)氧化为Ni(III)氧化效率,从而提高装置的氧化能的储存效率。
搜索关键词: 一种 氢氧化 氧化 钛基光致储能 方法 及其 装置
【主权项】:
1. 一种氢氧化镍-二氧化钛基光致储能方法,其特征在于:该方法包括以下步骤:(1)在ITO基底的导电侧面上,应用溶胶-凝胶法制备TiO2多孔膜,溶胶-凝胶中TiO2的含量为0.1—100g/L;(2)采用电沉积法,以0.1-10mA/cm2的电流密度在TiO2多孔膜上沉积10-1000秒,得到Ni(OH)2膜,从而获得Ni(OH)2-TiO2双膜工作电极;(3)将Ni(OH)2-TiO2复合膜电极置于碱性溶液中,将复合膜电极与Pt对电极短接的情况下,通过紫外光辐射,TiO2产生电子-空穴对,电子通过外电路与空穴分离,产生具有强氧化性的空穴可以将Ni(II)氧化为Ni(III),从而实现氧化能的储存。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学,未经浙江大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910095412.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top