[发明专利]红外双色碲镉汞探测器台面钝化方法有效
| 申请号： | 200910092189.0 | 申请日： | 2009-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN101640231A | 公开（公告）日： | 2010-02-03 |
| 发明（设计）人： | 张敏;孙浩;王成刚;朱西安 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 信息产业部电子专利中心 | 代理人： | 梁 军 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种红外双色碲镉汞探测器台面钝化方法，包括：步骤A：对双色碲镉汞探测器的芯片台面裸露的碲镉汞进行腐蚀，消除物理损伤薄膜，去除表面硫化锌膜层；步骤B：利用磁控溅射设备对经过步骤A处理后的芯片台面进行钝化处理；本发明在碲镉汞平面单色钝化工艺的基础上，选择磁控溅射设备，结合优化的台面湿化学预处理工艺，对溅射压力和靶间距离等关键参数进行系统优化，最终获得良好的表侧面钝化效果。 | ||
| 搜索关键词： | 红外 双色碲镉汞 探测器 台面 钝化 方法 | ||
【主权项】：
1、一种红外双色碲镉汞探测器台面钝化方法，其特征在于，包括：步骤A：对双色碲镉汞探测器的芯片台面裸露的碲镉汞进行腐蚀，消除物理损伤薄膜，去除表面硫化锌膜层；步骤B：利用磁控溅射设备对经过步骤A处理后的芯片台面进行钝化处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第十一研究所，未经中国电子科技集团公司第十一研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910092189.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：发光二极管封装框架中承载晶片的金属块
- 下一篇：断路器的脱扣机构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
