[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 200910090700.3 | 申请日： | 2009-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN102012589A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 明星;周伟峰;郭建;赵鑫;张文余 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 曲鹏 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。阵列基板包括形成在基板上的栅线、数据线、像素电极和薄膜晶体管，还包括遮挡栅线、数据线和薄膜晶体管的黑矩阵。制造方法包括：形成栅电极和栅线图形；形成作为绝缘层的彩色树脂层；形成有源层、数据线、源电极、漏电极和TFT沟道图形；形成黑矩阵图形，黑矩阵位于栅线、数据线、源电极和TFT沟道区域的上方；形成钝化层过孔图形；形成像素电极图形，像素电极的边缘与黑矩阵交叠。本发明通过将黑矩阵设置在阵列基板上，一方面增大了开口率，另一方面提升了画面品质，并从整体上降低了TFT-LCD的生产时间和生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | tft lcd 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种TFT‑LCD阵列基板，包括形成在基板上的栅线、数据线、像素电极和薄膜晶体管，其特征在于，还包括遮挡栅线、数据线和薄膜晶体管的黑矩阵，所述黑矩阵为树脂材料。
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