[发明专利]低维纳米材料显微结构与电学性能测试装置和方法有效
| 申请号： | 200910084260.0 | 申请日： | 2009-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN101545872A | 公开（公告）日： | 2009-09-30 |
| 发明（设计）人： | 韩晓东;刘攀;张泽 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | G01N23/04 | 分类号： | G01N23/04;G01N27/00;G01R31/00 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘 萍 |
| 地址： | 100124*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及低维纳米材料显微结构与电学性能的测试装置和方法。该装置在衬底的上方是非晶层，下方是阻挡层，阻挡层和衬底的中间部分被刻蚀掉形成窗口，在非晶层上是金属电极，金属电极之间是低维纳米材料，低维纳米材料位于非晶层上对着窗口的正上方，低维纳米材料上是非晶阻挡层，金属电极上引出导线。本发明提供了一种转移、固定低维纳米材料的方法，可以同时对低维纳米材料进行通电测量，可以在原子点阵分辨率下，原位地测量低维纳米材料的显微结构与电学性能的相关性。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 材料 显微结构 电学 性能 测试 装置 方法 | ||
【主权项】：
1、一种低维纳米材料显微结构与电学性能测试装置，其特征在于：在衬底的上方是非晶层，下方是阻挡层，阻挡层和衬底的中间部分被刻蚀掉形成窗口，在非晶层上是金属电极，金属电极之间是低维纳米材料，低维纳米材料位于非晶层上对着窗口的正上方，低维纳米材料上是非晶阻挡层，金属电极上引出导线。
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