[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 200910078874.8 | 申请日： | 2009-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN101825814A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 黄应龙 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;H01L21/84;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 曲鹏 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。TFT-LCD阵列基板，包括形成在基板上的栅线和数据线，栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和薄膜晶体管，像素区域内形成有“U”型挡光结构，像素电极与栅线和薄膜晶体管的栅电极交叠。在像素区域的上部，像素电极与栅线和栅电极交叠，在形成存储电容的前提下，利用栅线和栅电极实现像素电极边缘漏光区域的遮挡；在像素区域的下部，像素电极与公共电极线交叠，采用相同的设计理念，利用公共电极线遮挡像素电极边缘漏光区域的方案。与采用“H”型挡光结构或“∏”型挡光结构的现有技术相比，本发明有效提高了像素区域的开口率，以19W为例，本发明开口率可增大2.5％左右。 | ||
| 搜索关键词： | tft lcd 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种TFT-LCD阵列基板，包括形成在基板上的栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和薄膜晶体管，其特征在于，所述像素区域内形成有“U”型挡光结构，所述像素电极与栅线和薄膜晶体管的栅电极交叠。
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