[发明专利]半导体材料磷化铟的快速合成

摘要

本发明提出一种快速地合成半导体材料磷化铟(InP)的新方法。本发明中采用硝酸铟为铟源焙烧后得到氧化铟(In2O3)，将氧化铟浸渍次磷酸盐溶液后烘干得到前体，对前体进行简单的短时间低温热处理即可合成磷化铟。通过在载体上浸渍硝酸铟，烘干后焙烧可以得到负载型氧化铟，将其与次磷酸盐溶液浸渍后烘干得到前体，对前体进行简单的短时间低温热处理便可以制备负载型磷化铟。本发明的特点在于此方法既可以制备非负载型磷化铟，又可以制备负载型磷化铟。整个制备过程简单、所用原料安全，制备周期非常短。该类材料的电子迁移率比硅大，禁带宽度比硅宽，是一种更加优越的半导体材料。

主权项

本发明提出一种快速地合成半导体材料磷化铟(InP)的新方法。本发明中采用硝酸铟为铟源焙烧后得到氧化铟(In2O3)，将氧化铟浸渍次磷酸盐溶液后烘干得到前体，对前体进行简单的短时间低温热处理即可合成磷化铟；通过在载体上浸渍硝酸铟，烘干后焙烧可以得到负载型氧化铟，将其与次磷酸盐溶液浸渍后烘干得到前体，对前体进行简单的短时间低温热处理便可以制备负载型磷化铟本发明的特点在于此方法既可以制备非负载型磷化铟，又可以制备负载型磷化铟，整个制备过程简单、所用原料安全，制备周期非常短；磷化铟合成步骤如下：称取一定量的硝酸铟在500℃空气气氛中焙烧1小时即可得到氧化铟。在室温搅拌状态下，按照一定的化学计量关系，将所需量的次磷酸盐溶解于去离子水中，搅拌溶解后，将所需量的氧化铟加入到溶液中浸渍1小时，之后将所得溶液在一定温度下烘干得到前体然后将前体粉末装入反应器内，在静态的氮气保护气氛中将前体在一定温度下热处理10分钟以上，将所得产物用去离子水洗涤后烘干即得到所需的磷化铟，负载型磷化铟的制备过程需要两步浸渍来实现，第一步浸渍是将载体浸渍硝酸铟溶液后烘干，然后在500℃空气气氛中焙烧1小时即可得到负载型氧化铟，将负载型氧化铟在次磷酸盐溶液中浸渍后烘干得到前体，其余步骤与非负载型磷化铟的制备步骤相同。