[发明专利]聚合物光电子薄膜及制备方法和应用无效
申请号: | 200910069208.8 | 申请日: | 2009-06-10 |
公开(公告)号: | CN101572293A | 公开(公告)日: | 2009-11-04 |
发明(设计)人: | 秦大山 | 申请(专利权)人: | 河北工业大学 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/10;H01L51/30;H01L51/44;H01L51/46;H01L51/56;H01L51/40;H01L51/48 |
代理公司: | 天津市杰盈专利代理有限公司 | 代理人: | 王小静 |
地址: | 300130天*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明涉及一种聚合物光电子薄膜及制备方法和应用,它包括衬底上负载的聚合物薄膜,在衬底和聚合物薄膜之间有一层导电修饰薄膜;衬底为氧化铟锡(ITO)覆盖的玻璃,氟代氧化铟覆盖的玻璃,半透明银薄膜覆盖的玻璃,半透明金薄膜覆盖的玻璃;负载的聚合物薄膜是Poly(3-hexylthiophene),PCBM,MEH-PPV;导电修饰薄膜是聚乙撑二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸盐。制备方法包括清洁衬底、衬底修饰、在修饰后的衬底上负载聚合物薄膜、在低压力下控制聚合物薄膜中的溶剂挥发时间和退火热处理。本发明的优点:制备出的聚合物光电子薄膜的性能显著高于常压下制备的聚合物薄膜,可以极大提高太阳能电池和其他半导体器件的性能,增加市场竞争力;成本低廉,操作简单,和传统半导体生产工艺结合容易。 | ||
搜索关键词: | 聚合物 光电子 薄膜 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
1、一种聚合物光电子薄膜,其特征在于它包括衬底上负载的聚合物薄膜,在衬底和聚合物薄膜之间有一层导电修饰薄膜;所述的衬底为氧化铟锡(ITO)覆盖的玻璃,氟代氧化铟覆盖的玻璃,半透明银薄膜覆盖的玻璃,半透明金薄膜覆盖的玻璃;所述的负载的聚合物薄膜是Poly(3-hexylthiophene),P3HT:[6,6]-phenyl C61-butyricacid methyl ester(PCBM),Poly(2-methoxy-5-(2′-ethylhexoxy)-1,4-phenylene vinylene)(MEH-PPV);所述的导电修饰薄膜是Poly(3,4-ethylenedioxythiophene):Poly(styrene sulfonate)(PEDOT:PSS)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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