[发明专利]电子元件成膜新工艺无效
| 申请号： | 200910064159.9 | 申请日： | 2009-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN101477957A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 单东林;王宁;王晓莉 | 申请（专利权）人： | 南阳市信利佳电子有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L23/06 |
| 代理公司： | 南阳市智博维创专利事务所 | 代理人： | 张天禧 |
| 地址： | 473000河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明涉及电子元件，研究了一种电子元件成膜新工艺，主要采用材料处理—第一道成膜—第二道成膜—成品步骤，与传统的喷涂法相比，电子元件所形成的膜层平整、致密、均匀，成膜药品材料不外泄、不挥发，改善了工作环境，废水残药可回收利用，解决了污染环境，产品质量得到保障，生产效率大幅提高，生产成本明显下降。 | ||
| 搜索关键词： | 电子元件 新工艺 | ||
【主权项】：
1、一种电子元件成膜工艺，其特征是采用以下工艺步骤：材料处理—第一道成膜—第二道成膜—成品。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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