[发明专利]快速模拟出相变材料的方法及新型相变材料无效
申请号: | 200910045928.0 | 申请日: | 2009-01-22 |
公开(公告)号: | CN101487140A | 公开(公告)日: | 2009-07-22 |
发明(设计)人: | 宋志棠;饶峰 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | C40B50/02 | 分类号: | C40B50/02;C40B40/18;C22C13/02;C22C21/00;C22C12/00;C22C30/00 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 200050*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种快速模拟出相变材料的方法,其首先建立能形成AjBi二元晶态化合物的A和B元素库,并分别从A和B元素库中选择出相应的元素以模拟形成AjBi二元晶态化合物,然后根据右下式计算所模拟形成的AjBi二元晶态化合物的p轨道电离度rσ′和s-p轨道的杂化程度rπ-1,进而判断所计算出的p轨道电离度rσ′和s-p轨道的杂化程度rπ-1是否满足0.5>rσ′且2.8>rπ-1条件,若是,则模拟出的所述AjBi二元晶态化合物即为具备相变性能的相变材料,由此可快速筛选出潜在的新型相变材料,此法很大程度上降低了材料制备、工艺摸索、性能表征所需的工作量,缩短了新型相变材料发现的周期。通过此法还发现了SnxSb1-x或AlxSb1-x的二元晶态化合物的相变材料。 | ||
搜索关键词: | 快速 模拟 相变 材料 方法 新型 | ||
【主权项】:
1.一种快速模拟出相变材料的方法,其特征在于包括以下步骤:1)建立能形成AjBi二元晶态化合物的A和B元素库,其中,B元素库中的元素为具有未成对p轨道价电子的V族或VI族元素;2)分别从A和B元素库中选择出相应的元素以模拟形成AjBi二元晶态化合物;3)根据( Σ i n i r p , i Σ i n i ) - ( Σ j n j r p , j Σ j n j ) ]]> 和[ ( Σ i n i ( r p , i - r s , i ) Σ i n i ) + ( Σ j n j ( r p , j - r s , j ) Σ j n j ) ] - 1 ]]> 计算所模拟形成的AjBi二元晶态化合物的p轨道电离度rσ′和s-p轨道的杂化程度
其中,ni、nj分别为所述AjBi二元晶态化合物的阴、阳离子数,rp,i为相应AjBi二元晶态化合物的阴离子p价轨道半径,rp,j为相应AjBi二元晶态化合物的阳离子p价轨道半径;4)判断所计算出的p轨道电离度rσ′和s-p轨道的杂化程度
是否满足0.5>rσ′且2.8 > r π - 1 ]]> 条件,若是,则模拟出的所述AjBi二元晶态化合物即为具备相变性能的相变材料。
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