[发明专利]肖特基型核电池及其制备方法无效
| 申请号： | 200910030429.4 | 申请日： | 2009-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN101527174A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 陆敏 | 申请（专利权）人： | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | G21H1/00 | 分类号： | G21H1/00;H01L21/205;H01L21/283 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 | 代理人： | 陈忠辉 |
| 地址： | 215125江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了肖特基型核电池及其制备方法，通过一次MOCVD外延和一次HVPE外延的复合外延技术生长获得衬底-n型GaN掺杂层-绝缘GaN掺杂层结构的肖特基型器件材料结构，再使用半导体微加工工艺溅射生成对应的接触电极，制备形成基本的电池器件，并将同位素耦合到肖特基接触电极上，封装制备完成核电池。由于核电池的寿命取决于同位素的半衰期，故而本发明可以灵活使用防护简单的同位素种类(纯β同位素)，大大提高了核电池的能量转换效率和能量密度(能量容积)，延长了核电池的使用寿命，同时也为核废料变废为宝、合理利用创造了有效途径。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基型 核电 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.肖特基型核电池，其特征在于：电池底部Al2O3衬底表面设有n型掺杂层，n型掺杂层表面设有表面积小于n型掺杂层的本征GaN绝缘层，肖特基接触电极和n型接触电极分别设置在对应的绝缘层和n型掺杂层表面上，并在肖特基接触电极表面设有相同表面积的纯β同位素层，其中n型掺杂层是掺杂有硅且掺杂浓度介于1×1018/cm3～1×1019/cm3的GaN层。
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