[发明专利]冶金级多晶硅太阳能电池磷扩散工艺

摘要

本发明涉及制造太阳能电池的扩散工艺，尤其是冶金级多晶硅太阳能电池磷扩散工艺，该工艺首先进行高温晶界吸杂，利用高温使杂质原子在原沉淀处释放，同时扩散并移动至晶界缺陷处沉积，在晶界附近形成洁净区；其次进行中低温磷沉积，在中低扩散温下短时间进行淡磷扩散沉积，完成表面低浓度磷沉积，为下步长时间高温驱入做准备；然后进行高温深结晶界扩散钝化，在高温长时间磷源驱入，形成晶界处的深PN结，使磷在晶界面处会产生磷吸杂及磷漂移场钝化；最后再进行扩散，调整至所需要的方块电阻值。本发明利用杂质在多晶硅中扩散的一些特性，可以大大降低本会发生在晶界处的少子复合，工艺完成后硅片少子寿命较正常工艺生产硅片的少子寿命有所提升，对最后电池性能有积极作用。

主权项

1、一种冶金级多晶硅太阳能电池磷扩散工艺，其特征是：首先进行高温晶界吸杂，利用高温使杂质原子在原沉淀处释放，同时扩散并移动至晶界缺陷处沉积，在晶界附近形成洁净区；其次进行中低温磷沉积，在中低扩散温下短时间进行淡磷扩散沉积，完成表面低浓度磷沉积，为下步长时间高温驱入做准备；然后进行高温深结晶界扩散钝化，在高温长时间磷源驱入，形成晶界处的深PN结，使磷在晶界面处会产生磷吸杂及磷漂移场钝化；最后再进行扩散，调整至所需要的方块电阻值。