[发明专利]一种倒装型多结化合物太阳电池芯片的制备方法

摘要

一种倒装型多结化合物太阳电池芯片的制备方法，采用气象外延的方法制备倒装结构的多结化合物太阳电池，在转移衬底的表面蒸镀制备有高反射率的金属电极；转移衬底的表面涂覆网格状荧光粉层；在上述转移衬底表面和多结化合物太阳电池的底电池表面制备有用于键合的网格状厚金属电极；把转移衬底和多结化合物太阳电池的底电池键合，荧光粉层的表面和多结化合物太阳电池的底电池表面紧密接触；把外延片衬底去除。通过在芯片制备过程中把荧光粉均匀涂覆在倒装型太阳电池底电池的表面，所涂覆荧光粉可把大于1.2微米部分太阳光谱转变成短波长的太阳电池光谱灵敏度较高的光谱，使太阳电池吸收的太阳光谱范围拓宽，可大大提高太阳电池的光电转换效率。

主权项

1.一种倒装型多结化合物太阳电池芯片的制备方法，其步骤如下：1)采用气象外延的方法制备倒装结构的多结化合物太阳电池，在外延片衬底上先外延顶电池，再外延中电池，最后外延底电池；2)在转移衬底的表面蒸镀制备有高反射率的金属电极；3)在上述转移衬底的表面涂覆网格状荧光粉层；4)在上述转移衬底表面和多结化合物太阳电池的底电池表面制备有用于键合的网格状厚金属电极；5)把转移衬底的表面和多结化合物太阳电池的底电池的表面键合在一起，荧光粉层的表面同样和多结化合物太阳电池的底电池表面紧密接触；6)把多结化合物太阳电池外延片衬底去除。