[发明专利]改性聚铝硅氧烷无效
| 申请号： | 200910004596.1 | 申请日： | 2009-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN101525437A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 片山博之;赤泽光治 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C08G77/398 | 分类号： | C08G77/398;H01L23/29;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 熊玉兰;孙秀武 |
| 地址： | 日本大阪府茨*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及改性聚铝硅氧烷。本发明提供不仅耐热性，而且透明性、粘合性、片材成型性良好的改性聚铝硅氧烷，含有该改性聚铝硅氧烷而成的光半导体元件封装材料，以及使用该封装材料封装光半导体元件而成的光半导体装置。所述改性聚铝硅氧烷是通过使式(I)表示的硅烷偶联剂与聚铝硅氧烷反应而得到的。式中，R1、R2及R3，分别独立地表示烷基或烷氧基，X表示甲基丙烯酰氧基、环氧丙氧基、氨基、乙烯基或巯基，其中，R1、R2及R3之中，至少2者为烷氧基。 | ||
| 搜索关键词： | 改性 聚铝硅氧烷 | ||
【主权项】：
1.改性聚铝硅氧烷，其是通过使式(I)表示的硅烷偶联剂与聚铝硅氧烷反应而得到的，![]()
式中，R1、R2及R3，分别独立地表示烷基或烷氧基，X表示甲基丙烯酰氧基、环氧丙氧基、氨基、乙烯基或巯基，其中，R1、R2及R3之中，至少2者为烷氧基。
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