[实用新型]高阻尼吸振平台结构无效

专利信息
申请号: 200820208272.0 申请日: 2008-09-10
公开(公告)号: CN201277422Y 公开(公告)日: 2009-07-22
发明(设计)人: 蔡宏毅 申请(专利权)人: 台湾奈米科技应用股份有限公司
主分类号: F16M11/00 分类号: F16M11/00;F16F7/10;F16F15/02;G12B9/08
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 董惠石
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 实用新型公开了一种高阻尼吸振平台结构,包含一基座;一框体结构,以定位结构定位在该基座上,该框体结构中具有一阻尼材料填充空间;一阻尼填充材,填充于该框体结构中的阻尼材料填充空间;一上盖板,盖覆在该阻尼填充材上作为机台承置面,供一标的机台承置,借由将组成平台的几何构件单纯化、模组化,搭配以轻质的阻尼填充材,辅以阻尼接着剂结合、强化,构成一同时具有模组化、轻量化且高刚性特性的高阻尼吸振系统平台结构。
搜索关键词: 阻尼 平台 结构
【主权项】:
1、一种高阻尼吸振平台结构,其特征在于,所述高阻尼吸振平台结构包含:一基座;一框体结构,经定位结构定位在该基座上,该框体结构中具有一阻尼材料填充空间;一阻尼填充材,填充于该框体结构中的阻尼材料填充空间;一上盖板,盖覆在该阻尼填充材上形成机台承置面,能承置一机台。
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