[实用新型]磁路机构及具有该磁路机构的磁控溅射阴极无效

专利信息
申请号: 200820201115.7 申请日: 2008-09-26
公开(公告)号: CN201336198Y 公开(公告)日: 2009-10-28
发明(设计)人: 范继良;刘涛 申请(专利权)人: 东莞宏威数码机械有限公司
主分类号: H01F7/02 分类号: H01F7/02;C23C14/35;H02K7/116
代理公司: 广州三环专利代理有限公司 代理人: 张艳美;郝传鑫
地址: 523081广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型公布了一种在传统的外圈永磁体内增加了两组独立旋转驱动的偏置内圈永磁体及中圈永磁体的磁路机构,上述独立旋转的偏置磁体被加入到由外圈永磁体所产生的静磁场中以调节靶材表面空间的磁场分布,可控的空间磁场分布在靶材表面上方的不同区域形成不同的等离子体浓度,一方面可以选择性地溅射靶的不同区域,获得径向方向上单调变化的膜厚,另一方面,薄膜的厚度的均匀性也得以改善,同时,靶的利用率也得以提高,结构简单操作方便。另本实用新型还公布了具有该磁路机构的磁控溅射阴极。
搜索关键词: 磁路 机构 具有 磁控溅射 阴极
【主权项】:
1.一种磁路机构,包括:轭铁、极靴、外圈永磁体、中心冷却杆及底座,所述中心冷却杆连接于所述底座中央,且所述外圈永磁体等径向分布于所述中心冷却杆四周,所述轭铁一端与所述底座连接,另一端与所述外圈永磁体连接,所述外圈永磁体连接于所述极靴与所述轭铁之间,所述轭铁及极靴为负极,所述中心冷却杆及底座为正极,其特征在于:还包括偏置永磁体组,所述偏置永磁体组包括内圈永磁体、中圈永磁体、及驱动机构,所述内圈永磁体呈中心偏置分布于中心冷却杆四周,所述中圈永磁体呈中心偏置于中心冷却杆四周,且所述中圈永磁体位于所述外圈永磁体及其内圈永磁体之间,所述驱动机构与所述底座连接,所述驱动机构分别独立驱动所述内圈永磁体及中圈永磁体绕所述中心冷却杆旋转。
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