[实用新型]电阻加热钼坩埚提拉法激光晶体生长装置

摘要

本实用新型公开了一种电阻加热钼坩埚提拉法激光晶体生长装置，属于激光晶体结晶工艺学领域；包括通过氧化铝垫片连接电极板的托盘，以及置于托盘上的钼侧保温屏，钼侧保温屏上端设有钼上保温屏，钼侧保温屏内侧装有电阻加热器，钼埚托通过连接体与电极板连接，钼埚托的外侧罩有钼台罩，钼埚托上设有钼坩埚，钼坩埚内装有熔体，电阻加热器设置在钼坩埚的周围，电阻加热器和钼侧保温屏之间还设有内屏蔽筒，钼坩埚上方设有钼籽晶杆，钼籽晶杆下端装有籽晶，籽晶下端位于熔体上方，且钼籽晶杆、籽晶均位于钼上保温屏的内侧；本实用新型具有结构简单、温场稳定、投入小，可实现高浓度的无核心、无位错、无散射的激光晶体生长，并且生长周期短、晶体成品率高(＞95％)、生长成本低。

主权项

1、一种电阻加热钼坩埚提拉法激光晶体生长装置，包括通过氧化铝垫片(19)连接电极板(16)的托盘(15)，以及置于托盘(15)上的钼侧保温屏(10、11、12)，钼侧保温屏(10、11、12)上端设有钼上保温屏(5、6、7)，其特征在于：钼侧保温屏(12)内侧装有电阻加热器(13)，钼埚托(9)通过连接体(18)与电极板(16)连接，钼埚托(9)的外侧罩有钼台罩(17)，钼埚托(9)上设有钼坩埚(8)，钼坩埚(8)内装有熔体(4)，电阻加热器(13)设置在钼坩埚(8)的周围，电阻加热器(13)和钼侧保温屏(12)之间还设有内屏蔽筒(14)，钼坩埚(8)上方设有钼籽晶杆(1)，钼籽晶杆(1)下端装有籽晶(2)，籽晶(2)下端位于熔体(4)上方，且钼籽晶杆(1)、籽晶(2)均位于钼上保温屏(5、6、7)的内侧。