[发明专利]定量化薄层地层的电阻率和含烃饱和度的方法有效
申请号: | 200810210273.3 | 申请日: | 2008-08-11 |
公开(公告)号: | CN101363315A | 公开(公告)日: | 2009-02-11 |
发明(设计)人: | 戴维·F·艾伦;格奥吉·博达科夫 | 申请(专利权)人: | 普拉德研究及开发股份有限公司 |
主分类号: | E21B49/00 | 分类号: | E21B49/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 封新琴 |
地址: | 英属维尔京*** | 国省代码: | 维尔京群岛;VG |
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摘要: | 一种估算层状地下地层中烃体积的方法,包括测定地层中的垂直电阻率和水平电阻率。测定地层各层的束缚水饱和度和总孔隙度。根据各层的束缚水饱和度和总孔隙度以及各层的估算的束缚水总体积,计算地层的水平电阻率值和垂直电阻率值。将这些估算值与测定的水平电阻率和垂直电阻率进行比较。调整各层中所估算的束缚水饱和度并反复估算该值,直到估算值与测定的垂直电阻率和水平电阻率值之间的差值降到所选的阈值以下。由各层经调整的束缚水饱和度估算烃体积。 | ||
搜索关键词: | 量化 薄层 地层 电阻率 饱和度 方法 | ||
【主权项】:
1.一种估算层状地下地层中烃体积的方法,包括:测定地层中的垂直电阻率和水平电阻率;测定地层各层的束缚水饱和度和总孔隙度;根据各层的束缚水饱和度和总孔隙度以及各层中估算的束缚水总体积,估算地层的水平电阻率值和垂直电阻率值;将这些估算值和测定的水平电阻率和垂直电阻率进行比较;调整各层中所估算的束缚水饱和度并反复估算该值,直到估算值与测定的垂直电阻率和水平电阻率之间的差值降到所选的阈值以下;及由各层经调整的束缚水饱和度估算烃体积。
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