[发明专利]一种氧化钨纳米线及氧化钨纳米线气敏传感器的制备方法

摘要

一种氧化钨纳米线及氧化钨纳米线气敏传感器的制备方法，属于一维纳米氧化物材料的制备及气敏技术领域。将钨酸钠溶于去离子水中配制成钨酸钠溶液；缓慢滴加盐酸形成淡黄色胶束溶液，离心分离；产物均匀分散到硫酸钾溶液中，转入反应釜中进行水热反应，即制得所述氧化钨纳米线。在所述氧化钨纳米线中添加粘合剂及玻璃料；元件烧结；元件老化制得氧化钨纳米线气敏传感器。本发明制备步骤简单，制备过程中的工艺参数容易控制，整个制备过程的能源消耗非常少，所制备的氧化钨纳米线具有大的比表面积和较高的热稳定性，氧化钨纳米线气敏传感器对低浓度(1～100ppm)H₂、CO和NH₃具有很高的灵敏度、良好的重复性和很高的稳定性。

主权项

1、一种氧化钨纳米线的制备方法，其特征在于，该制备方法包括如下步骤：(1)将钨酸钠溶于去离子水中，配制成重量比为1.5～8.0％的钨酸钠溶液，在冰水浴中磁力搅拌1小时，形成无色透明的钨酸钠溶液；(2)向步骤(1)制得的钨酸钠溶液中缓慢滴加3M/L的盐酸，并不断搅拌1.5小时，形成淡黄色胶束溶液，将该胶束溶液以4000转/分钟的速度离心分离20分钟；(3)将步骤(2)中离心分离后的产物均匀分散到11.5M/L的硫酸钾溶液中形成混合溶液，将80毫升该混合溶液转入100毫升反应釜中进行水热反应，反应温度180～270℃，反应时间为12～120小时；(4)将步骤(3)水热产物经去离子水和无水酒精洗涤后在70℃的空气气氛中干燥12小时，即制得所述氧化钨纳米线。