[发明专利]太阳能电池透明导电玻璃基板回收再利用的方法无效
申请号: | 200810093635.5 | 申请日: | 2008-04-18 |
公开(公告)号: | CN101562212A | 公开(公告)日: | 2009-10-21 |
发明(设计)人: | 谢逸弘;简永杰 | 申请(专利权)人: | 东捷科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;B09B3/00 |
代理公司: | 天津三元专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 钱 凯 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种太阳能电池透明导电玻璃基板回收再利用的方法,其包括下列步骤:一、准备步骤、二、蚀刻步骤及三、完成步骤;于前述步骤中;准备一制程失败的不良太阳能电池,其依序具有一玻璃基板、一透明导电玻璃层及一制程失败层,再以一蚀刻媒介对制程失败的不良太阳能电池进行选择性蚀刻;此蚀刻媒介对制程失败层的蚀刻速率远高于对透明导电玻璃层与玻璃基板的蚀刻速率,使蚀刻媒介大体上只会对制程失败层蚀刻而移除,存留下玻璃基板与透明导电玻璃层,以供回收再利用;如此,使本发明兼具制程中的不良品可回收再利用及降低废料等优点及功效。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 透明 导电 玻璃 回收 再利用 方法 | ||
【主权项】:
1.一种太阳能电池透明导电玻璃基板回收再利用的方法,其特征在于,其包括下列步骤:一.准备步骤:准备一制程失败的不良太阳能电池,其依序具有一玻璃基板、一透明导电玻璃层及一制程失败层;该制程失败层是选自单晶硅、多晶硅、微晶硅、非晶硅其中之一;二.蚀刻步骤:以一蚀刻媒介对该制程失败的不良太阳能电池进行选择性蚀刻,该蚀刻媒介对该制程失败层的蚀刻速率是远高于对该透明导电玻璃层与该玻璃基板的蚀刻速率,使该蚀刻媒介大体上只会对该制程失败层蚀刻而移除;三.完成步骤:存留下该玻璃基板与该透明导电玻璃层,以供回收再利用。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的