[发明专利]一种制备高纯α-Al2O3纳米晶体材料的方法

摘要

本发明涉及一种制备高纯α-Al2O3纳米晶体材料的方法。首先将硝酸铝溶解于含羟基的有机溶剂中，然后向其中加入多羟基有机物，两种有机物间发生羟基缩合反应，形成稳定的网络状金属络合物。然后将此溶液持续加热，形成松散的大体积有机前驱体。最后，将经过研磨的前驱体粉末进行煅烧，可得到均匀的高纯度α-Al2O3纳米晶体材料。本发明具有工艺简单，成本低廉，制备周期短，产物纯度高，重复性好，粒径分布窄，结晶性好的特点。

主权项

1.一种制备高纯α-Al₂O₃纳米晶体材料的方法，包括如下步骤：(1)将Al(NO₃)₃·9H₂O溶解于相同质量的去离子水中，加入到含羟基的有机溶剂中，形成混合物；所述含羟基的有机溶剂具有如下两种基本结构中的任意一种：结构通式中R代表含1～5个C原子的正烷基；(2)向混合物中加入网络辅助剂，均匀混合成为前驱体溶液；所述的网络辅助剂为含有多个羟基的醇类，醛类或酮类化合物；(3)将前驱体溶液持续加热升温，恒温后自然冷却，形成松散的大体积有机物前驱体；(4)将前驱体干磨，之后煅烧，待冷却后形成白色的粉末产物。