[发明专利]一种微片腔内倍频激光器无效
| 申请号： | 200810071722.0 | 申请日： | 2008-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN101355229A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 吴砺;卢秀爱;陈卫民;凌吉武 | 申请（专利权）人： | 福州高意通讯有限公司 |
| 主分类号： | H01S3/109 | 分类号： | H01S3/109;H01S3/05;H01S3/06;H01S3/0941 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350014福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种微片腔内倍频激光器，包括半导体激光器、光学耦合透镜和微片式倍频激光器，微片式倍频激光器包括激光增益介质和倍频晶体，其中激光增益介质采用高掺杂超薄激光增益介质，其厚度薄到激光增益介质的整个泵浦吸收区域始终与基模区域基本重叠，采用以上技术方案，使微片腔内倍频激光器在宽温度范围内能够实现高光束质量输出。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微片腔内 倍频 激光器 | ||
【主权项】：
1、一种微片腔内倍频激光器，包括半导体激光器、光学耦合透镜和微片式倍频激光器，微片式倍频激光器包括激光增益介质和倍频晶体，其特征在于：激光增益介质采用高掺杂超薄激光增益介质，其厚度薄到激光增益介质的整个泵浦吸收区域始终与基模区域基本重叠。
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