[发明专利]一种紫外倍频激光器无效
申请号: | 200810071340.8 | 申请日: | 2008-07-03 |
公开(公告)号: | CN101345390A | 公开(公告)日: | 2009-01-14 |
发明(设计)人: | 吴砺;孙玉;韩斌;杨建阳;陈卫民 | 申请(专利权)人: | 福州高意通讯有限公司 |
主分类号: | H01S3/05 | 分类号: | H01S3/05;H01S3/109;H01S3/08 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 350014福建省福州市晋*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明涉及一种紫外倍频激光器,包括半导体激光器、光学耦合系统以及激光腔,激光腔包括激光增益介质、倍频晶体以及紫外倍频晶体,其中在激光增益介质与紫外倍频晶体设置紫外光透明的Walk-off晶体,利用紫外光透明的Walk-off晶体改变倍频光偏振方向,将易受紫外光损伤的光学元件如激光增益介质隔离在紫外光透明的Walk-off晶体一端,从而保护整个激光器免受其产生紫外光损伤,实现紫外腔内倍频。 | ||
搜索关键词: | 一种 紫外 倍频 激光器 | ||
【主权项】:
1、一种紫外倍频激光器,包括半导体激光器、光学耦合系统以及激光腔,激光腔包括激光增益介质、倍频晶体或三倍频、四倍频、五倍频晶体以及紫外倍频晶体,其特征在于:在激光增益介质与紫外倍频晶体设置紫外光透明的Walk-off晶体,紫外光透明的Walk-off晶体高于激光腔中的其它光学元件,激光腔的激光增益介质一端镀有前腔膜,其对基波λ、倍频光λ/2高反,激光腔的紫外倍频晶体另一端镀有后腔膜,其对基波λ、倍频光λ/2高反,同时对紫外λ/4透射,紫外光透明的Walk-off晶体高出其它光学元件、相对后腔膜的面镀有腔膜,其对λ/4、λ/2、、λ/3或者λ/5倍频光高反。
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