[发明专利]钆钍氧铁砷高温超导材料及其制备方法无效
申请号: | 200810062374.0 | 申请日: | 2008-05-13 |
公开(公告)号: | CN101274845A | 公开(公告)日: | 2008-10-01 |
发明(设计)人: | 曹光旱;许祝安;王操;李林军;李玉科 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | C04B35/26 | 分类号: | C04B35/26;C04B35/622;H01B12/00 |
代理公司: | 杭州中成专利事务所有限公司 | 代理人: | 盛辉地 |
地址: | 310027*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 一种钆钍氧铁砷高温超导材料,属于ZrCuSiAs型结构,具有与超导体LaO1-yFyFeAs相同的晶体结构,本发明的钆钍氧铁砷高温超导材料,通式为:Gd1-xThxOFeAs,式中0.05≤X≤0.30,材料中各元素含量摩尔比Gd、Th、O、Fe、As为0.70~0.95∶0.3~0.05∶1∶1∶1。按各元素含量,原料经混合、研磨、压片、煅烧、快速冷却等步骤制得超导的多晶块体。本发明的超导材料,最高超导临界温度Tc达到56.5K,估算的上临界磁场Bc2超过100特斯拉,优于类似结构的LaO1-yFyFeAs超导体,在实际应用上具有明显的优势。 | ||
搜索关键词: | 钆钍氧铁砷 高温 超导 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种钆钍氧铁砷高温超导材料,属于ZrCuSiAs型结构,具有与超导体LaO1-yFyFeAs相同的晶体结构,其特征是:钆钍氧铁砷高温超导材料通式为:Gd1-xThxOFeAs,式中0.05≤X≤0.30,材料中各元素Gd、Th、O、Fe、As含量摩尔比为0.70~0.95∶0.3~0.05∶1∶1∶1。
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