[发明专利]一种磁性形状记忆合金单晶及制备方法无效
| 申请号： | 200810055808.4 | 申请日： | 2008-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN101275194A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 朱伟;陈京兰;吴光恒 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C22C19/03 | 分类号： | C22C19/03;C30B29/52;C30B15/00 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 尹振启 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种磁性形状记忆合金的材料及其单晶制备方法。该磁性单晶材料的化学式为Ni50+xFe25－xGa25+y，其中－2.00≤x≤2.00；－3.00≤y≤2.00；x、y表示原子百分比含量。其单晶制备方法包括将称好的料盛放在坩埚中，并加入SiO2+B2O3玻璃，采用提拉法生长Ni50+xFe25－xGa25+y单晶。本发明的单晶制备过程中加入了SiO2+B2O3玻璃，有效地控制了本发明规定成分的NiFeGa材料在单晶生长过程中容易产生的第二相析出。此外，本发明提供的制备方法适用于常规的提拉晶体的设备，而不需要附加设备，因此，成本低、易于工业化批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 形状 记忆 合金 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁性形状记忆材料，其特征在于，其化学式为Ni50+xFe25-xGa25+y；其中：-2.00≤x≤2.00；-3.00≤y≤2.00；x、y表示原子百分比含量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院物理研究所，未经中国科学院物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810055808.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
