[发明专利]快速制备SiC纳米线的方法无效
| 申请号： | 200810041205.9 | 申请日： | 2008-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN101327929A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 张亚非;王峰磊;张丽英 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C01B31/36 | 分类号： | C01B31/36 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种纳米技术领域的快速制备SiC纳米线的方法。本发明步骤为：a.按照质量百分比将SiO粉为33.3％－66.7％、焦炭为33.3％－66.7％进行混合；b.将混合物放入球磨机，球磨，制备反应原料；c.将反应原料放入石墨管制作的坩埚中，置于密闭石英管内，使用真空泵抽真空；d.在石英管内通入氩气或者氮气，调节进气流量，控制管内气压在0.02－0.04MPa；e.采用石英管外缠绕的高频感应电源线圈对石墨坩埚进行加热，在3min内升至1600℃，保温；f.氩气或者氮气保护下随炉冷却至室温，即得到SiC纳米线。本发明解决了现有SiC纳米线制备中工艺复杂、成本高、周期长、条件难控制等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 快速 制备 sic 纳米 方法 | ||
【主权项】：
1、一种快速制备SiC纳米线的方法，其特征在于，包括如下步骤：a、按照质量百分比将SiO粉为33.3％-66.7％、焦炭为33.3％-66.7％进行混合；b、将混合物放入球磨机，球磨，制备反应原料；c、将反应原料放入石墨管制作的坩埚中，置于密闭石英管内，使用真空泵抽真空；d、在石英管内通入氩气或者氮气，调节进气流量，控制管内气压在0.02-0.04MPa；e、采用石英管外缠绕的高频感应电源线圈对石墨坩埚进行加热，在3min内升至1600℃，保温；f、氩气或者氮气保护下随炉冷却至室温，即得到SiC纳米线。
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