[发明专利]一种含铌的SiC陶瓷先驱体的制备方法无效
| 申请号： | 200810031049.8 | 申请日： | 2008-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN101265105A | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | 谢征芳;牛加新;王军;薛金根;王浩;曹淑伟 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/622 |
| 代理公司： | 长沙星耀专利事务所 | 代理人： | 宁星耀 |
| 地址： | 410073湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 一种含铌的SiC陶瓷先驱体的制备方法，其包括以下步骤：(1)将相当于主链含硅的低分子量聚合物重量0.5wt％－20wt％的铌金属氯化物或有机化合物置于三口烧瓶中，将主链含硅的低分子量聚合物置于此三口烧瓶中覆盖铌金属氯化物或有机化合物；(2)在Ar或N2保护下，按照0.1－5℃/min升温速率，使三口烧瓶中的物料升温至350－500℃，裂解柱温度控制在450－550℃，进行热分解重排反应1－15h，冷却；(3)将该粗产品经二甲苯溶解、过滤，滤液在250－390℃进行减压蒸馏，冷却。本发明原料来源广泛，价格低廉，铌的含量及其性能指标可控可调，可达分子级别匀化，产物纯度高，再成型性好，耐超高温性能优异；设备简单，容易实现大规模工业化生产；制造成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 陶瓷 先驱 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种含铌的SiC陶瓷先驱体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在手套箱中将相当于主链含硅的低分子量聚合物重量0.5wt％-20wt％的铌金属氯化物或有机化合物置于三口烧瓶中，将主链含硅的低分子量聚合物置于此三口烧瓶中覆盖铌金属氯化物或有机化合物；(2)在Ar或N2或它们的混合物保护下，按照0.1-5℃/min升温速率，使三口烧瓶中的物料升温至350-500℃，裂解柱温度控制在450-550℃，进行热分解重排反应，反应时间1-15h，冷却后得PNCS粗产品；(3)将该粗产品经二甲苯溶解、过滤，滤液在250-390℃进行减压蒸馏，冷却后即得黑色树脂状含铌SiC陶瓷先驱体。
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