[发明专利]大功率LED多层梯度材料散热通道的构造方法

摘要

本发明提供大功率LED多层梯度材料散热通道的构造方法，其构造步骤为：1)制备GaN基LED芯片：对GaN基LED外延片进行干法刻蚀，形成L型，露出N－GaN层台面；在P－GaN层表面蒸发一层铟锡氧化物电流扩展层，再蒸发P、N电极，再在P、N电极上镀上纯金；2)制备Cu快速热扩散板：先制作L型的Cu板，磁控溅射一层Ti或Cr，作为粘附层；在Ti层上磁控溅射一层AlN，作为绝缘层；再蒸发一层薄金，镀上一层厚纯金；3)采用热压焊进行纯金键合，将LED芯片倒装在Cu快速热扩散板上。本发明采用高热导、热膨胀系数梯度变化的Au－Au－AlN－Ti多层材料构建LED至Cu快速热扩散板之间的散热通道，解决了大功率LED的散热问题，提高了器件的散热能力和稳定性。

主权项

1.大功率LED多层梯度材料散热通道的构造方法，其特征在于：采用高热导、热膨胀系数梯度变化的Au-Au-AlN-Ti多层材料构建LED至Cu快速热扩散板之间的散热通道，具体包括以下步骤——①制备GaN基LED芯片：先对GaN基LED外延片进行干法刻蚀，形成L型，露出N-GaN层台面；在P-GaN层表面蒸发一层铟锡氧化物电流扩展层，再利用磁控溅射或电子束蒸发P、N电极，再在P、N电极上镀上纯金；②制备Cu快速热扩散板：先制作L型的Cu板，磁控溅射一层Ti或Cr，作为粘附层；在Ti层上磁控溅射一层AlN，作为绝缘层；继而，再蒸发一层薄金，镀上一层厚纯金；③制备好LED芯片和Cu快速热扩散板后，将LED芯片倒装在Cu快速热扩散板上，进行纯金热压键合；从而，在LED与Cu快速热扩散板之间构造出Au-Au-AlN-Ti材料结构的散热通道。