[发明专利]低温烧结压电陶瓷及其制备工艺

摘要

一种低温烧结压电陶瓷及其制备工艺，其各组分配方的重量百分比是：Pb₃O₄ 55～67％，SrCO₃ 1～8％，ZnO 0～5％，Nb₂O₅ 1～12％，Ni₂O₃ 0～2.0％，ZrO₂ 8～22％，TiO₂ 3～17％，钒的氧化物0～1.5％；采用低温烧结，敞烧，烧结温度980～1030℃，排胶和烧结一次性完成。其性能良好，介电常数1500～3000，介质损耗≤2.5％，平面机电耦合系数≥65％，压电应变常数≥400pC/N，机械品质因素为70～400。本制备工艺能抑制氧化铅的挥发，节能、环保、成本低，有利人身健康。广泛用于制备大功率压电陶瓷蜂鸣片、多层压电电声转换器、超声传感器。

主权项

1、一种低温烧结压电陶瓷，其特征在于：其各组分配方的重量百分比是：Pb3O4 55～67％，SrCO3 1～8％，ZnO 0～5％，Nb2O5 1～12％，Ni2O3 0～2.0％，ZrO2 8～22％，TiO2 3～17％，钒的氧化物0～1.5％。