[发明专利]包括具有正型和负型标记的道的光学存储介质、用于制造该光学存储介质的压模和制造方法有效
| 申请号： | 200780038500.2 | 申请日： | 2007-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN101536095A | 公开（公告）日： | 2009-09-16 |
| 发明（设计）人： | 乔基姆·尼特尔;斯蒂芬·克纳普曼 | 申请（专利权）人： | 汤姆森特许公司 |
| 主分类号： | G11B7/013 | 分类号： | G11B7/013;G11B7/26;B29D17/00;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 法国布洛涅*** | 国省代码： | 法国;FR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 光学存储介质(1)包括基板层(2)、基板层(2)上的在道(T1-T4)中设置标记/间隔结构的数据层(3)以及覆盖层(7)。一条道(T1、T3)包括正型标记(PM)而相邻的道(T2、T4)包括负型标记(NM)。道特别设置为螺旋线(S1、S2)，其中一条螺旋线(S1)包含仅有正型标记(PM)的道而相邻螺旋线包含仅有负型标记(PM)的道。道的正型标记与对应的道的负型标记被间隔隔开。光学存储介质具体是只读光盘并包括具有超分辨率近场结构的掩模层，其中数据层的道设置为两条螺旋线，一条螺旋线仅包括正型标记而另一条螺旋线包括负型标记。为了制造光学存储介质，提供压模和用于制造压模的母版的制造方法，压模包括具有正型和负型标记的表面，所述正型和负型标记对应于光学存储介质的数据层的相应正型和负型标记。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 具有 标记 光学 存储 介质 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 光学存储介质(1)，包括基板层(2)、所述基板层(2)上具有在道(T1-T4)中设置的标记/间隔结构的数据层(3)以及覆盖层(6)，其特征在于，一条道(T1、T3)包括正型标记(PM)而相邻的道(T2、T4)包括负型标记(NM)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于汤姆森特许公司，未经汤姆森特许公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200780038500.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 包含多级数据层的光学存储介质-200980108046.2
- 克里斯托弗·费里;拉里萨·冯雷维尔;盖尔·皮拉德 - 汤姆森特许公司
- 2009-03-05 - 2011-01-26 - G11B7/013
- 一种光学存储介质，包含衬底层(2)、数据层(3)，以及具有在数据层(3)上安置的超级分辨率结构的非线性层(4)，其中具有用于读取数据的拾取器的衍射极限之上的尺寸的凹坑和平台建立数据层的第一级和第二级(L1，L2)，而在数据层(3)的另外的级(L3，L4)上布置具有拾取器的衍射极限之下的尺寸的凹坑和平台。在优选实施例中，在数据层的第三级(L3)上布置具有衍射极限之下的尺寸的凹坑并且在数据层的第四级(L4)上布置具有衍射极限之下的尺寸的平台。该光学存储介质具体是包含用于提供超级分辨率效应的相变材料(例如AgInSbTe)的只读光盘。
- 包括转化的超分辨率凹坑和平台的光学存储介质-200980107975.1
- 盖尔·皮拉德;赫伯特·霍尔兹曼;拉里萨·冯雷维尔;克里斯托弗·费里 - 汤姆森特许公司
- 2009-03-06 - 2011-01-26 - G11B7/013
- 一种光学存储介质，包括：基底层；数据层，其具有在基底层上的轨道中布置的带有数据的凹坑/平台数据结构；以及非线性层，其具有在数据层上安排的超分辨率结构，其中具有低于衍射极限的尺寸的平台(2TL)被转化为凹坑(IL)并且由辅助平台(AL)包围，而具有低于衍射极限的尺寸的凹坑(2TP)被转化为平台(IP)并且由辅助凹坑(AP)包围。光学存储介质具体地是包括用于提供超分辨率效应的例如AgInSbTe的相变材料的只读光盘。
- 包括具有不同宽度的轨道的光学存储介质及相应制造方法-200780045135.8
- 迈克尔·克劳斯;弗兰克·普齐戈达;斯蒂芬·纳普曼 - 汤姆森特许公司
- 2007-12-10 - 2009-10-07 - G11B7/013
- 光学存储介质(1)包括衬底层(2)和数据层(3)，数据层(3)具有布置在轨道(T1-T6)中的标记/间隔结构，其中第一轨道(T1)的标记的序列(Z1)具有第一宽度(w1)，相邻轨道(T2)的标记的序列(Z2)具有不同于第一宽度的第二宽度(w2)。光学存储介质具体地为其上轨道(T1-T6)布置为螺线、圆形环或分段的圆形环的光盘(1)。
- 包括具有正型和负型标记的道的光学存储介质、用于制造该光学存储介质的压模和制造方法-200780038500.2
- 乔基姆·尼特尔;斯蒂芬·克纳普曼 - 汤姆森特许公司
- 2007-10-11 - 2009-09-16 - G11B7/013
- 光学存储介质(1)包括基板层(2)、基板层(2)上的在道(T1-T4)中设置标记/间隔结构的数据层(3)以及覆盖层(7)。一条道(T1、T3)包括正型标记(PM)而相邻的道(T2、T4)包括负型标记(NM)。道特别设置为螺旋线(S1、S2)，其中一条螺旋线(S1)包含仅有正型标记(PM)的道而相邻螺旋线包含仅有负型标记(PM)的道。道的正型标记与对应的道的负型标记被间隔隔开。光学存储介质具体是只读光盘并包括具有超分辨率近场结构的掩模层，其中数据层的道设置为两条螺旋线，一条螺旋线仅包括正型标记而另一条螺旋线包括负型标记。为了制造光学存储介质，提供压模和用于制造压模的母版的制造方法，压模包括具有正型和负型标记的表面，所述正型和负型标记对应于光学存储介质的数据层的相应正型和负型标记。
- 一种实现多阶存储的方法、光记录介质及其制作方法-200710178784.7
- 裴京;唐毅;倪屹;潘龙法;徐海峥;熊剑平;陆达 - 清华大学
- 2007-12-05 - 2009-06-10 - G11B7/013
- 本发明是一种在光记录介质实现多阶存储的方法、光记录介质及其制作方法。在用于存储信息的坑/岸上形成奇数段个相接的子坑和子岸，并且使所述坑的第一段和最后一段形成为子坑/岸。通过以下的任意一项或多项组合，使同一游程长度获得多种读出信号，从而实现多阶存储：改变对坑/岸分解所得子岸/子坑的长度；改变对坑/岸分解所得子岸/子坑的位置；改变对坑/岸分解所得坑岸组合段的数目。本发明还包括采用此方法的光记录介质及其制作方法。本发明在不改变原来光盘存储写入和读出装置的条件下，在光记录介质实现多阶存储，显著提高只读光盘存储容量和数据传输率，与目前的光盘系统保持了最大的兼容性。
- 专利分类
