[发明专利]在其中具有扩大部分的沟槽隔离结构无效
| 申请号： | 200780010703.0 | 申请日： | 2007-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN101410966A | 公开（公告）日： | 2009-04-15 |
| 发明（设计）人： | N·林德特 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 曾祥夌;杨松龄 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明的实施例涉及在微电子衬底中制造用于微电子器件的隔离结构，其中该隔离结构的设计减少或大体上消除了在隔离结构的绝缘材料中形成表面空腔。通过提供大体上与其开口相对的沟槽结构的扩大部分或腔室，减少或避免了这些表面空腔。 | ||
| 搜索关键词： | 其中 具有 扩大 部分 沟槽 隔离 结构 | ||
【主权项】：
1.一种隔离结构，包括：微电子衬底，其具有第一表面；沟槽，其从所述微电子衬底第一表面延伸进入所述微电子衬底，所述沟槽具有至少一个侧壁和靠近所述微电子衬底第一表面的沟槽开口；腔室，其在与所述沟槽开口相对的所述沟槽的末端处形成于所述微电子衬底内；以及绝缘材料，其布置在所述腔室和所述沟槽内。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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