[实用新型]同步整流驱动电路

摘要

一种同步整流驱动电路，包含有：一第一侧以及一第二侧；该第一侧具有一第一线圈绕组、一第一MOSFET(金属氧化半场效应晶体管)、一辅助MOSFET、一辅助电容、以及一输入电源；该第二侧具有一第二线圈绕组、一直流电压源、一第二MOSFET、一第三MOSFET、一第四MOSFET、一第五MOSFET、以及一电感；该第二MOSFET的栅极连接该第四MOSFET的源极，该第三MOSFET的栅极连接该第五MOSFET的源极；该电感一端连接于该第三MOSFET的漏极。由此，可具有缩小驱动电压脉波高度的变化，并且抑制突波电压的发生，以保护电子元件的功效。

主权项

1.一种同步整流驱动电路，其特征在于，包含有：一第一侧以及一第二侧；该第一侧具有一第一线圈绕组、一第一金属氧化半场效应晶体管、一辅助金属氧化半场效应晶体管、一辅助电容、以及一输入电源；其中该辅助金属氧化半场效应晶体管与该辅助电容串联，且其串联的组合并联于该第一线圈绕组；该第一金属氧化半场效应晶体管与该输入电源串接，且其串联的组合并联于该第一线圈绕组；该第二侧具有一第二线圈绕组、一直流电压源、一第二金属氧化半场效应晶体管、一第三金属氧化半场效应晶体管、一第四金属氧化半场效应晶体管、一第五金属氧化半场效应晶体管、以及一电感；其中该直流电压源连接于该第四金属氧化半场效应晶体管的栅极以及该第五金属氧化半场效应晶体管的栅极，该第四金属氧化半场效应晶体管的漏极以及该第五金属氧化半场效应晶体管的漏极分别连接于该第二线圈绕组的两端，该第二金属氧化半场效应晶体管的栅极连接于该第四金属氧化半场效应晶体管的源极，该第三金属氧化半场效应晶体管的栅极连接于该第五金属氧化半场效应晶体管的源极，该第三金属氧化半场效应晶体管的漏极连接于该第四金属氧化半场效应晶体管的漏极，该第二金属氧化半场效应晶体管的漏极连接于该第五金属氧化半场效应晶体管的漏极，该第二金属氧化半场效应晶体管的源极与该第三金属氧化半场效应晶体管的源极连接；该电感一端连接于该第三金属氧化半场效应晶体管的漏极，另一端与该第三金属氧化半场效应晶体管的源极是用以连接一负载。