[发明专利]一种洋水仙脱毒组培鳞茎的培养方法

摘要

本发明涉及一种洋水仙脱毒组培鳞茎的培养方法，属植物繁殖技术领域。该方法包括：培养基的配制、脱毒组培鳞茎的培养、病毒ELISA检测等步骤。本发明能快速对组培鳞茎苗实施高灵敏度的病毒检测，杜绝病毒的携带与传播，可比未脱毒鳞茎生长速度快、开花期早、花色鲜艳；脱毒鳞茎增殖快，其月增殖率可达3～5倍，适合工厂化育苗。可在洋水仙的提纯复壮及开发中推广应用。

主权项

1.一种洋水仙脱毒组培鳞茎的培养方法，其特征在于按如下步骤进行：(1)培养基的配制，包括基本培养基和组培各阶段培养基的各组分与每升所含重量为：1)基本培养基：子鳞茎诱导、增殖及鳞茎生长培养基用MS培养基；生根培养基用1/2 MS培养基；其中，蔗糖或白糖20～40g/L，琼脂7～9g/L，pH5.6～5.8；2)子鳞茎诱导培养基：MS+BA 0.1～1mg/L和NAA 0.05～0.5mg/L；3)子鳞茎增殖培养基：MS+BA 0.05～0.5mg/L和NAA 0.1～1mg/L；4)鳞茎生长培养基：MS+BA 0.01～0.1mg/L和NAA 0.05～0.5mg/L；5)生根培养基：1/2MS+NAA 0.1～0.5mg/L；(2)洋水仙脱毒组培鳞茎的培养：1)鳞茎低温处理：鳞茎经8℃低温处理2～4周；2)鳞茎萌芽：将低温处理后的鳞茎放在25℃培养室内，培养1～2周，使鳞茎快速萌芽；3)外植体的选取与灭菌：取3～5cm的鳞茎幼芽，经灭菌处理后，在无菌条件下，摘出0.2～0.3mm带1～2个叶原基的茎尖作为脱毒组培用外植体；4)茎尖诱导培养：将外植体接种在子鳞茎诱导培养基上，在培养条件下培养1～2个月，从茎尖诱导形成幼芽或子鳞茎；5)子鳞茎增殖培养：将幼芽或子鳞茎转接到子鳞茎增殖培养基上，在培养条件下培养30～45天至增殖出子鳞茎；根据对子鳞茎数量的需求，每隔30～45天按同样方法进行子鳞茎再增殖；6)子鳞茎生长培养：将子鳞茎转接到子鳞茎生长培养基上，在培养条件下培养30～45天使鳞茎长大到0.5～1cm；7)生根培养：将长大的子鳞茎转接在生根培养基中，在培养条件下培养20～30天至子鳞茎上部长出叶片，基部长出数根根系；8)移栽：当生根子鳞茎苗长高至3～5cm以上、长出5根以上根时，移栽至基质培养基，在培养条件下培养1～2个月后成苗；(3)病毒ELISA检测：将田间洋水仙发生的病毒，经扩增、克隆和原核表达所获得的相关病毒外壳蛋白，注射小鼠或家兔免疫并制备成病毒特异性抗血清后，对脱毒组培获得的鳞茎苗进行病毒ELISA检测。