[发明专利]一种生产氮化硅系合金的新方法无效
| 申请号： | 200710304869.5 | 申请日： | 2007-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN101468392A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 宁俊才;陈奎生;姜霞 | 申请（专利权）人： | 陈奎生;宁俊才;姜霞 |
| 主分类号： | B22F1/00 | 分类号： | B22F1/00;C22C1/04 |
| 代理公司： | 郑州中原专利事务所有限公司 | 代理人： | 赵 磊 |
| 地址： | 455133河南*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种生产氮化硅系合金的新方法，是将硅系合金粉放入真空氮化炉内进行氮化反应而得，通电后，从室温升温到200℃时，抽真空到-0.06MPa，继续升温到700℃，充入氮气，使炉内压力达到0.06MPa，继续升温至900℃，从室温到900℃的升温速度为每小时40～70℃，从900℃到1100℃进入连充状态，到1100℃时结束连充，转为间隔充氮，至渗氮反应结束后，停电，降温后出炉。本发明可以避免温度达到1000℃以上时，外围硅粉产生液化而造成的析集硅滴，此后，即使温度达到1300℃以上时，因大部分硅粉已经与氮气化合，也不会再产生析硅现象。经检测，用本发明方法生产的氮化硅的含氮量可达到39％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生产 氮化 合金 新方法 | ||
【主权项】：
1、一种生产氮化硅系合金的新方法，是将硅系合金粉放入真空氮化炉内进行氮化反应而得，其特征在于：通电后，从室温升温到200℃时，抽真空到-0.06MPa，继续升温到700℃，充入氮气，使炉内压力达到0.06MPa，继续升温至900℃，从室温到900℃的升温速度为每小时40～70℃，从900℃到1100℃进入连充状态，到1100℃时结束连充，转为间隔充氮，至渗氮反应结束后，停电，降温后出炉。
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