[发明专利]总层厚检测装置和检测方法、充电装置及图像形成装置有效
| 申请号： | 200710301828.0 | 申请日： | 2007-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN101329527A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 山口英彦;池田周穗;守屋秀树;大森雅夫 | 申请（专利权）人： | 富士施乐株式会社 |
| 主分类号： | G03G15/02 | 分类号： | G03G15/02;G03G15/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾红霞;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开一种用于被充电体的总层厚检测装置，该总层厚检测装置包括：饱和电荷量检测单元，其检测被充电体的饱和电荷量，所述被充电体具有多个相对介电常数彼此不同的涂层；存储单元，其存储关系信息，所述关系信息表示所述被充电体的饱和电荷量的变化相对于所述被充电体的表面层的层厚变化的关系；以及计算部分，其基于由所述饱和电荷量检测单元检测出的饱和电荷量的变化和存储在所述存储单元中的所述关系信息来计算所述被充电体的所述多个涂层的总层厚。 | ||
| 搜索关键词： | 总层厚 检测 装置 方法 充电 图像 形成 | ||
【主权项】：
1.一种用于被充电体的总层厚检测装置，包括：饱和电荷量检测单元，其检测被充电体的饱和电荷量，所述被充电体具有多个相对介电常数彼此不同的涂层；存储单元，其存储关系信息，所述关系信息表示所述被充电体的饱和电荷量的变化相对于所述被充电体的表面层的层厚变化的关系；以及计算部分，其基于由所述饱和电荷量检测单元检测出的饱和电荷量的变化和存储在所述存储单元中的所述关系信息来计算所述被充电体的所述多个涂层的总层厚。
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