[发明专利]高散热内存模块结构无效
| 申请号： | 200710201424.4 | 申请日： | 2007-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN101373760A | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | 林文强;潘伟光;王家忠 | 申请（专利权）人： | 钰桥半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L23/36;H05K1/18;H05K7/20;G11C5/00 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 | 代理人： | 何为 |
| 地址： | 台湾省台北*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种高散热内存模块结构，是将镶嵌于一内存模块板上的半导体组件中芯片的表平面暴露于空气中，亦可进一步在一般内存模块板上将半导体组件进行涂底胶或封模后，以研磨方式直至该半导体组件中芯片的表平面完全暴露于空气中，以增进该内存模块的散热特性。此外，亦可利用一热接口物质将一散热片紧密粘着在表平面暴露的芯片上，达到更可强化整个内存模块的散热功能，同时，亦可使整个制程上具有方便性与经济性的效益。 | ||
| 搜索关键词： | 散热 内存 模块 结构 | ||
【主权项】：
【权利要求1】一种高散热内存模块结构，其包括数个半导体组件、一内存模块板、及数个芯片，该内存模块板上镶嵌有各半导体组件；该各芯片位于各半导体组件于该内存模块板上，其特征在于：所述各芯片的表平面裸露于空气中。
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