[发明专利]镭射二极管驱动电路及其方法无效
申请号: | 200710188052.6 | 申请日: | 2007-11-23 |
公开(公告)号: | CN101442858A | 公开(公告)日: | 2009-05-27 |
发明(设计)人: | 朱崇仁 | 申请(专利权)人: | 飞宏科技股份有限公司 |
主分类号: | H05B37/02 | 分类号: | H05B37/02 |
代理公司: | 北京挺立专利事务所 | 代理人: | 叶树明 |
地址: | 中国台湾桃园县龟山*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明系提供一种镭射二极管驱动电路及其方法。本发明之镭射二极管驱动电路利用脉波宽度调变控制器控制半导体组件开关。本发明之镭射二极管驱动电路仅于电流切换的上升时间(rise time)追加额外正电压或负电压的短脉冲驱动镭射二极管,藉以减少电流切换时间。 | ||
搜索关键词: | 镭射 二极管 驱动 电路 及其 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种镭射二极管驱动电路,其特征在于,包含:一第一路径,具有一镭射二极管以及半导体组件开关,其中该半导体组件开关系用于导通或关闭该第一路径;一第一供电路径,耦合至该第一路径,提供一第一电压至该第一路径,其中该第一供电路径具有一电源转换器、一第一电感以及一第一储存之装置,其中该电源转换器提供该第一电压至该第一储存装置;一第二供电路径,耦合至该第一路径,该第二供电路径具有一提供电压脉冲之装置、一第二电感以及第二储存装置,其中该提供电压脉冲至该第一储存装置;一脉波宽度调变(Pulse Width Modulation,PWM)控制器耦合至该半导体组件开关以及该提供电压脉冲之装置。
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