[发明专利]硅负极和包括该负极的锂离子二次电池及它们的制备方法无效
| 申请号： | 200710152117.1 | 申请日： | 2007-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN101393980A | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | 周耀华;马青云 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/02 | 分类号： | H01M4/02;H01M4/38;H01M4/58;H01M4/62;H01M4/04;C23C14/35;C23C14/24;H01M10/40;H01M10/38 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王凤桐;董占敏 |
| 地址： | 518119广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种锂离子二次电池的硅负极，所述硅负极包括导电基体和负载于该导电基体表面的材料层，其中，所述材料层由一个碳材料层和一个硅层组成，所述碳材料层附着在导电基体上，所述硅层附着在碳材料层上。由本发明的硅负极制备得到的电池同时具有较高的体积比容量和良好的循环性能。 | ||
| 搜索关键词： | 负极 包括 锂离子 二次 电池 它们 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种锂离子二次电池的硅负极，所述硅负极包括导电基体和负载于该导电基体表面的材料层，其特征在于，所述材料层由一个碳材料层和一个硅层组成，所述碳材料层附着在导电基体上，所述硅层附着在碳材料层上。
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