[发明专利]随机数生成电路无效
| 申请号： | 200710146847.0 | 申请日： | 2007-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN101132171A | 公开（公告）日： | 2008-02-27 |
| 发明（设计）人： | 佐藤丰 | 申请（专利权）人： | 精工电子有限公司 |
| 主分类号： | H03K3/84 | 分类号： | H03K3/84;G06F7/58 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;刘宗杰 |
| 地址： | 日本千叶*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供了一种具有简单电路结构的随机数生成电路，用于基于噪声生成物理随机数。该随机数生成电路包括参考电压部分、具有与参考电压电平相等的参考电压的反相放大器部分、以及在参考电压部分的输出端和反相放大器部分的输入端之间提供的半导体开关。从参考电压部分产生的热噪声由半导体开关和电容器保存并且由反相放大器部分放大以生成物理随机数。 | ||
| 搜索关键词： | 随机数 生成 电路 | ||
【主权项】：
1.一种随机数生成电路，包括：参考电压部分，包括：第一P沟道MOS晶体管，其具有与电源连接的源极以及彼此连接的栅极和漏极；和第一N沟道MOS晶体管，其具有接地的源极以及彼此连接的栅极和漏极，漏极与第一P沟道MOS晶体管的漏极连接；反相放大器部分，包括：第二P沟道MOS晶体管，其具有与电源连接的源极；和第二N沟道MOS晶体管，其具有接地的源极、与第二P沟道MOS晶体管的栅极连接的栅极、和与第二P沟道MOS晶体管的漏极连接的漏极；和半导体开关，其第一端与第一P沟道MOS晶体管的漏极连接，并且第二端与第二P沟道MOS晶体管的栅极连接。
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