[发明专利]静电吸附装置无效
| 申请号： | 200710105051.0 | 申请日： | 2007-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN101079390A | 公开（公告）日： | 2007-11-28 |
| 发明（设计）人： | 狩野正树;山村和市 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是一种静电吸附装置，其用来吸附半导体晶圆、玻璃基板等被吸附物，其特征为：形成有一绝缘层，其覆盖形成于支持基板一面上的静电吸附用电极，且作为吸附上述被吸附物的吸附面，该绝缘层是由含有碳，且含有自硅、铝、钇以及钛选出1种或2种以上的元素，且维氏硬度在Hv50～1000的热分解氮化硼所构成。本发明之静电吸附装置，在将硅晶圆或玻璃基板等被吸附物，以静电吸附于静电吸附装置载置面上，并进行加热、冷却时，能够防止晶圆吸附面或静电吸附装置载置面产生损伤，且对氟系半导体清洗气的耐蚀性优异，使用寿命增长。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 吸附 装置 | ||
【主权项】：
1、一种静电吸附装置，其用来吸附半导体晶圆、玻璃基板等被吸附物，其特征为：形成一绝缘层，其覆盖着形成于支持基板一面上的静电吸附用电极，且成为吸附该被吸附物的吸附面；该绝缘层是由含有碳，且含有自硅、铝、钇以及钛选出1种或2种以上的元素，且维氏硬度在Hv50～1000的热分解氮化硼所构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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