[发明专利]磁阻效应元件以及磁存储器无效
| 申请号： | 200710102315.7 | 申请日： | 2007-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN101064114A | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | 齐藤好昭;杉山英行;井口智明 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39;G11C11/15;H01L43/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 曲瑞 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁阻效应元件以及磁存储器，即使进行微观化也具有热稳定性，并且可以用低电流密度实现磁记录层的磁化反转。该磁阻效应元件具备：磁化方向固定的磁化固定层；磁化方向可变的磁化自由层；设置在磁化固定层与磁化自由层之间的隧道绝缘层；设置在磁化固定层的、与隧道绝缘层相反的一侧的第1反铁磁性层；以及设置在磁化自由层的、与隧道绝缘层相反的一侧，并且膜厚比第1反铁磁性层薄的第2反铁磁性层，其中，通过向磁化自由层注入自旋极化后的电子，可以使磁化自由层的磁化方向反转。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 效应 元件 以及 磁存储器 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻效应元件，其特征在于，具备：磁化方向固定的磁化固定层；磁化自由层，其磁化方向可以通过将自旋极化后的电子注入该磁化自由层而改变；隧道绝缘层，设置在上述磁化固定层与上述磁化自由层之间；第1反铁磁性层，设置在上述磁化固定层的与上述隧道绝缘层相反的一侧；以及第2反铁磁性层，设置在上述磁化自由层的与上述隧道绝缘层相反的一侧，并且厚度比上述第1反铁磁性层薄。
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