[发明专利]一种包含一维纳米材料敏感元件的传感器的制备方法无效
| 申请号： | 200710099167.8 | 申请日： | 2007-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN101308108A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 周兆英;张旻;杨兴 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高存秀 |
| 地址： | 1000*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种包含有一维纳米材料敏感元件的传感器的制备方法，将一维纳米材料搭接于基片上的金属电极对上后，利用金属电沉积技术压覆固定一维纳米材料，实现一维纳米材料与电极间可靠接触。该方法包括以下步骤：1)采用半导体工艺在硅片上形成的金、铜、铂或镍的金属电极对；2)在硅片表面的金属电极对上搭接一维纳米材料；3)将上述金属电极对上搭接一维纳米材料硅片表面上电沉积金属层，直至一维纳米材料搭接的两端完全被所沉积的金属层覆盖；4)将硅片取出，清洗烘干，完成一维纳米材料与金属电极对的连接。本发明可迅速、经济的实现一维纳米材料与金属电极之间的可靠连接，而对一维纳米材料本身无任何损伤，并可进行批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 包含 纳米 材料 敏感 元件 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种包含一维纳米材料敏感元件的传感器的制备方法，首先在基片上制作金属电极对；其特征在于，将一维纳米材料搭接于在基片上形成的金属电极对上后，利用金属电沉积技术在电极上电沉积一层金属层，该金属层压覆固定一维纳米材料在金属电极对上，形成包含一维纳米材料敏感元件的传感器。
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