[发明专利]多元复合稀土钨电子发射体的烧结方法有效
申请号: | 200710099087.2 | 申请日: | 2007-05-11 |
公开(公告)号: | CN101049633A | 公开(公告)日: | 2007-10-10 |
发明(设计)人: | 聂祚仁;李炳山;胡福成;杨建参;彭鹰;席晓丽 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学;北京钨钼材料厂 |
主分类号: | B22F3/105 | 分类号: | B22F3/105;C22C1/05 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人: | 刘萍 |
地址: | 100022*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 多元复合稀土钨电子发射体的烧结方法,属于稀土难熔金属材料技术领域,针对目前多元复合稀土钨电子发射体加工性能差的技术难题,改变传统提高烧结电流,追求高烧结坯条密度以追求高成品率的技术思想,通过适当降低烧结电流,将烧结坯条密度控制在17.0-17.8g/cm3,烧结后得到的多元复合稀土钨坯条组织均匀,钨晶粒为等轴晶,稀土第二相均匀分布在晶界处,这种低密度的均匀组织在后续加工过程中能够协调形变,成品率在75%以上。较传统烧结工艺制备出的坯条成品率提高20%左右。 | ||
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【主权项】:
1、一种多元复合稀土钨电子发射体的烧结方法,其特征在于,包括以下步骤:1)按重量百分比计,将含La2O3、Y2O3和CeO2每种稀土氧化物含量为0.4~1.4%,三种稀土氧化物的总含量为2~2.2%,余量为钨的稀土钨金属粉加入润滑剂,在6-8MPa下压制成13×13×450mm的坯条;2) 将压制好的上述坯条放入钼丝网炉进行预烧结,烧结温度控制在1150-1350℃,保温35-40分钟;3) 将预烧后的坯条进行垂熔烧结,烧结电流按每增加200A保持2分钟的速率,增至2400A,保温2分钟后,增加电流到2500A,保持1分钟后,继续增大电流到2700A,保持1分钟,然后将最终电流加至2775-2825A,保持14-16分钟后,即可得到烧结坯条。
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