[发明专利]光能电池增效转光膜无效
申请号: | 200710086657.4 | 申请日: | 2007-03-29 |
公开(公告)号: | CN101295742A | 公开(公告)日: | 2008-10-29 |
发明(设计)人: | 索辛纳姆;罗维鸿;蔡琦睿;陈建毅 | 申请(专利权)人: | 罗维鸿;陈建毅 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L51/52;C09K11/08 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 200231上海市徐*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明系关于一种光能电池增效转光膜,其通过将发光光谱在太阳辐射峰值波长(λ=470nm)与单晶硅对光照敏感性最高时的波长(λ=860~880nm)间移动,使光能电池的有效率达14~16%。本发明提供了可将太阳短波及可见光波段的辐射转移至黄色和黄橘色的增效转光膜。这种增效转光膜的基础是以具有石榴石晶体架构的II,III主族元素氧化物为基体的荧光粉,用电子d层与f层发生跃迁的元素作激活剂,该荧光粉的基体由钡和钇的同类铝酸盐的固体溶液构成,其化学式为Baα(Y,Gd)3βAl2α+5βO4α+12β,且其晶格的晶系随钡与钇比例关系的改变而变化。该增效转光膜由均匀填充荧光粉超细散颗粒的有机聚合物构成,荧光粉颗粒的平均直径为0.5~0.8微米。本发明所提供的光能电池完全工作时的有效率达18~18.7%。 | ||
搜索关键词: | 光能 电池 增效 转光膜 | ||
【主权项】:
1.一种光能电池,其包括:一硅片,其用以承载后述的增效转光膜;以及一增效转光膜,其被制成一薄聚合层的形式,该聚合层内填充有无机荧光粉且与该单晶硅片的外表层相接触,其可强化吸收一第一特定分段波的自然光辐射,将其再辐射至一第二特定分段波。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的