[发明专利]用于增加多晶硅熔化速率的间歇式加料技术

摘要

一种用于在坩埚中制备硅熔体供在用直拉法生长单晶硅锭时使用的方法。坩埚首先用块状多晶硅装料，并加热以便部分地熔化装料。然后将粒状多晶硅加料到露出的未熔化的块状多晶硅上，以便完成坩埚中硅的装料。粒状多晶硅用多个交替的工作周期和停歇周期间歇式输送。在每个工作周期期间，使粒状多晶硅通过一个将粒状多晶硅导引到未熔化的块状多晶硅上的加料装置流动。在每个停歇周期期间，使粒状多晶硅的流动中断。将装料的块状多晶硅和加料的粒状多晶硅熔化，以便形成硅熔体。

主权项

1.一种用于在由多晶硅生长单晶硅锭的坩埚中制备硅熔体以供用直拉法生长单晶硅锭使用的方法，所述方法包括：a.用块状多晶硅给坩埚装料，该块状多晶硅的装料量为熔化形成硅熔体的多晶硅的总量的重量的40％-65％；b.使从中生长单晶硅锭的坩埚旋转；c.加热装料的块状多晶硅，以便形成熔化的硅和未熔化的多晶硅，该熔化的硅包括一个上表面，该未熔化的多晶硅包括一个在该熔化的硅的上表面上方的露出的部分，该露出的未熔化的多晶硅具有一个中心和一个宽度d，该宽度d相当于沿着该露出的未熔化的多晶硅与该熔化的硅的上表面之间的界面的两个点之间的最长距离，该未熔化的多晶硅和该熔化的硅的上表面之间的界面与该未熔化的多晶硅的中心近似等距离；d.通过将附加的未熔化的粒状多晶硅从坩埚中的加料管间歇式输送到从中生长单晶硅锭的坩埚中的部分熔化的装料的未熔化的多晶硅的露出的部分上，把附加的未熔化的粒状多晶硅加料到旋转的坩埚中，由此保持该露出的未熔化的多晶硅的宽度，该间歇式输送包括多个交替的工作周期和停歇周期，其中每个工作周期包括使附加的未熔化的粒状多晶硅通过一个将附加的未熔化的粒状多晶硅导引到该露出的未熔化的多晶硅的一种楔形体上的加料装置流动，该楔形体不与紧前面的楔形体基本上重叠，其中每个停歇周期包括使附加的未熔化的粒状多晶硅通过该加料装置的流动中断；和e.熔化该装料的多晶硅和该附加的未熔化的粒状多晶硅，以便在从中生长单晶硅锭的坩埚中形成硅熔体。