[发明专利]高速生长金刚石单晶的装置和方法无效
| 申请号： | 200710055326.4 | 申请日： | 2007-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN101037793A | 公开（公告）日： | 2007-09-19 |
| 发明（设计）人： | 李红东;邹广田;吕宪义;金曾孙 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | C30B29/04 | 分类号： | C30B29/04;C30B25/00 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 王恩远 |
| 地址： | 130012吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明的高速生长金刚石单晶的装置和方法属金刚石材料技术领域。所说的装置是在化学气相沉积系统沉积室内的衬底架上装有的样品托5；样品托5是在多晶金刚石薄膜1上面装有闭合的环形框2。也可以在环形框2内的孔洞中放置金刚石微粉3。本发明的方法是，将单晶金刚石籽晶4置于环形框2的孔洞中放入沉积室，对籽晶进行在位等离子体先期刻蚀；然后在甲烷、氢气和氮气气氛中生长金刚石单晶。方法包括在位观测生长面亮度变化确定处理可能出现的非金刚石相及结构孔洞。本发明的装置结构简单适用；易于加工；对生长单晶金刚石不产生任何污染；导热好。本发明的方法可以获得透明的金刚石单晶，生长速度能大于100微米/小时。 | ||
| 搜索关键词： | 高速 生长 金刚石 装置 方法 | ||
【主权项】：
1、一种高速生长金刚石单晶的装置，是等离子体化学气相沉积系统，其特征在于，在等离子体化学气相沉积系统沉积室内的衬底架上装有样品托(5)；所说的样品托(5)是在多晶金刚石薄膜(1)上面装有闭合的环形框(2)。
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