[发明专利]用于相变存储器的SiSb基相变薄膜材料无效
| 申请号： | 200710044701.5 | 申请日： | 2007-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN101132049A | 公开（公告）日： | 2008-02-27 |
| 发明（设计）人： | 冯洁;张胤;蔡炳初;陈邦明 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学;硅存储技术公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C11/56;C22C12/00;G11B7/243 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种微电子技术领域的用于相变存储器的SiSb基相变薄膜材料，其组分为(SixSb1－x)1－yMy，其中元素M是O元素或N元素或它们的混合物，掺杂元素M的含量y是0－15％原子百分比，Si含量x为5－90％原子百分比。本发明可在施加电脉冲情况下，发生高阻态和低阻态之间的可逆转变，从而达到数据存储的目的。本发明不含对环境有毒的Te元素，且制造工艺与现行半导体集成电路CMOS工艺有很好的兼容性。SiSb基相变薄膜材料具有比常用的Ge2Sb2Te5相变薄膜更快的晶化速率；更加优越的非晶态稳定性；以及更低的非晶态/晶态薄膜厚度变化率，这些特征有助于提高存储器的存取速率；数据可靠性和器件稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 相变 存储器 sisb 薄膜 材料 | ||
【主权项】：
1.一种用于相变存储器的SiSb基相变薄膜材料，其特征在于，所述SiSb基相变薄膜组分为(SixSb1-x)1-yMy，其中元素M是O元素或N元素或它们的混合物，掺杂元素M的含量y是0-15％原子百分比，Si含量x为5-90％原子百分比。
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